无线地磅遥控器芯片封装压缩技术

    我们可以看到无线地磅遥控器部分的主芯片运行速度如何将阵列效率提高到近90％，从而使256 Gb组中的芯片最小。 接收器和终端遥控器裸片具有几乎相同的存储密度，比256-Gb部分显着提高。从48层技术过渡到64层技术的一项进展是无线电对接，对接方式被用来接触3D-NAND器件中的通讯。例如，在东芝/ WD零件中，由于片上技术的改进和微调掩模的改变，电路的宽度缩小了45％。

 

    这并不是无关紧要的，即使缩小后的仍占据了模具面积的0.82％。同样，地磅控制器内部实现了27％的宽度缩减，最后以最终的0.44％的面积损失完成。我们还有机会对Intel / Micron的三级和四级单元部件进行了比较；即使它们都是20纳米，也都是64级，位密度从4.4到6.5 Gb / mm2，增长了近50％。现在，我们正处于万亿级裸片时代，华为集团公司刚刚宣布了内置8个1-Tb裸片的1-TB micro-SD卡！在上面的幻灯片中，晶体管级管芯的照片很小，但是它们确实可以很好地缩小：在这些镜头中，我们可以清楚地看到阵列下方的电路密度。接下来是使用折叠结构的地磅遥控器。

 

    如果仔细观察，我们可以看到堆栈从36到48到72层的演变。 36L器件仅具有一个通过门，而48L和72L器件具有两个通过门，从而允许用于两条单元链的公共位​​线和源极线。 72L堆栈的中心图像有些混乱，因为它有两个正交图像粘合在一起–右侧是平行于位线的截面，而左侧则垂直于位线。如果我们查看分离的图像，PG区域中的孔表明左侧部分穿过两个管道浇口的下部，而顶部则可见单个位线。上下叠层是指82门叠层的两阶段构造。 公司技术总监在本次演讲中没有详细介绍此事，但他于去年6月在新浪上发布了一个博客，该博客澄清了通道孔是通过两步蚀刻工艺形成的。估计的处理顺序为：

管浇口模具成型（下部）

通道刻蚀（下部，42个浇口）

备用层填充到孔中

模具成型（上部）

沟道蚀刻（上部，40个浇口）

多模层去除

渠道形成

狭缝和子狭缝通过整个堆叠的一步蚀刻来形成。在上面的电路示意图中，蓝色轮廓显示了地磅遥控器顶部和底部堆栈之间两条虚拟字线的位置，在横截面中由蓝色线标记。