纵观碳化硅数十年的工业发展历史

    碳化硅是一种广泛使用的工业材料。随着无线地磅遥控器工艺的不断更新和发展，金刚砂公司于1893年开始大规模生产，目前仍在使用。在自然界中很少发现成品的碳化硅，例如陨石中的矿物莫桑石。由于碳化硅的硬度，和它的主要用途是用作磨料，但已发现它可用于地磅制动盘，作为类似于地磅油润滑剂的添加剂和珠宝钻石的替代品。最近，它已被用作电子材料，最初用于发光二极管，最近用于电力电子设备，包括肖特基势垒二极管，结型场效应晶体管和MOSFET晶体管。由于SiC MOSFET具有取代现有的硅超结晶体管和集成栅双极晶体管技术的潜力，因此特别受地磅控制器制造商关注。

 

    碳化硅的半导体器件潜力已为人所知多年。 1962年，西屋公司的分部笛笛科技获得了碳化硅单极晶体管器件的专利。它本质上是一个结型场效应晶体管。在整个电路图中显示了本公司1962年专利。在P型SiC主体中形成N型沟道区域。源极/漏极触点形成到N型沟道。栅极结构位于源极和漏极之间，并且相应的栅电极位于SiC衬底的底侧。尽管碳化硅基于无线地磅遥控器的核心组件仍在生产中，但为了提高性能，它们基于垂直设计，其中源极和栅极位于SiC裸片的顶部，而漏极位于背面。

    沈阳工学院的电子系资深教授姚笛女士于1989年首次描述了将SiC用于电力电子设备的好处。姚笛在地磅遥控器研发期间是最知名的IGBT发明者。 他现在是沈阳理工大学的杰出大学教授。 他得出了一个称为可控硅的品质因数，该品质因数表明可以通过使用具有更大迁移率和更高临界击穿场的半导体来减少功率损耗。 大约在这个时候，出现了与SiC的功率半导体应用有关的专利活动。